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    关于转让“一种光-栅复合控制的场致发射X射线管”等4项中国发明专利专利权的公示

    发布:2018年03月31日 20:43       作者:专利中心      来源:       点击:

    学校拟转让 “一种光-栅复合控制的场致发射X射线管”等4项中国发明专利专利权,现将有关事项公示如下:

    序号

    专利名称

    状态

    权利人/申请人

    项目来源

    专利简介

    发明人

    拟交易价格(万元)

    受让单位

    1

    一种光-栅复合控制的场致发射X射线管[201110339599.8]

    授权

    电子科技大学

    本发明公开了一种光-栅复合控制的场致发射X射线管,包括真空容器、阳极、阳极靶、阴极组件、阴极支座、阴极头,阴极组件固定在阴极支座上,阴极支座固定在阴极头上,阴极头通过绝缘支座与真空容器真空封接,阴极组件包括场致发射阴极、自会聚电极、栅网、陶瓷绝缘体、高耐压晶体管、光电二极管,所述场致发射阴极安装在阴极支座上,陶瓷绝缘柱安装在阴极支座上并位于阴极外侧,栅网安装在陶瓷绝缘柱上,高耐压晶体管安装在阴极支座上,光电二极管安装在阴极支座的侧壁上。本发明的栅极不会截获电子也就不会受到电子的轰击而导致发热变形、烧毁,而且避免使用超高压脉冲电压,大大提高了本发明的可靠性和降低了系统成本。

    陈泽祥,任俊,胡添勇

    80

    广州市昊志影像科技有限公司

    2

    场致发射电子源及其碳纳米管石墨烯复合结构的制备方法[201310002796.X]

    授权

    电子科技大学

    本发明公开了一种场致发射电子源及其碳纳米管石墨烯复合结构的制备方法,包括导电基底、石墨烯薄膜层和定向垂直于石墨烯薄膜层的碳纳米管阵列,所述石墨烯薄膜层粘附在导电基底上,所述碳纳米管阵列中的碳纳米管的一端与石墨烯薄膜层连接形成一个整体结构。本发明大大提高碳纳米管阵列场发射电子源的发射能力和稳定性,使得本发明的电子源获得高效稳定的发射电流以及可以承受极高的发射电流密度。

    陈泽祥,王智慧,唐宁江

    50

    3

    一种恒流发射的场致发射电子源[201310002787.0]

    授权

    电子科技大学

    本发明公开了一种恒流发射的场致发射电子源,包括基本发射单元,若干个该基本发射单元组成各种所需阵列,所述基本发射单元由一个场致发射体和一个恒流二级管串联组成或者由若干个场致发射体并联后再与一个恒流二级管串联组成。本发明在传统的场致发射电子源中引入恒流二极管,使得这种新型电子源的发射电流范围限定在安全范围内或者工作在恒定电流值上,以提高场致发射的均匀性和稳定性;同时恒定电流值可以通过工艺参数进行控制以满足不同的应用需求。

    陈泽祥,王智慧,唐宁江

    40

    4

    一种小型中子源及其制备方法[201410214107.6]

    授权

    电子科技大学

    本发明提供一种小型中子源及其制备方法,特别是涉及采用场致离子发射产生中子的技术领域。为了解决传统中子源体积大、使用不便、成本高、应用受限等问题,本发明提供的中子源是利用碳纳米管等一维纳米结构材料的曲率半径小的特点,以碳纳米管等一维纳米结构材料作为场致离子发射电极。通过在栅极电极上施加电压,在CNTs等一维纳米结构的尖端附近形成巨大的负电场强,使氘气或氚气电离成离子,离子加速后高速轰击富含氘或者氚元素的靶材,从而复合并释放出中子。本发明提供的中子源结构简单、体积小、成本低、无辐射影响、使用方便等特点,可以在中子成像、元素分析、仪器校正、中子验证等方面广泛应用。  

    陈泽祥,许志财, 谢紫开

    30

         公示期为2018年4月1日至2018年4月20日。

    在公示期内,如有异议,请以实名、书面形式向电子科技大学技术转移中心反映。

    联系人:朱老师

    联系电话:028-83200056

     

                                                科学技术发展研究院

                                                    2018.3.31


    Copyright ? 2016-2017 电子科技大学科学技术发展研究院

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